| 36195 | KVR16E11/8 | Модуль памяти DDR3 8GB 1600MHz (PC3-12800) ECC CL11 1.5V Kingston |
 |
9 400
p
|
3-4 дня |
 |
| 34475 | KVR16R11D4/8 | Модуль памяти DDR3 8GB 1600MHz (PC3-12800) ECC Reg CL11 DRx4 w/Therm Sensor |
 |
8 588
p
|
поставка |
 |
| 44157 | KVR16LR11D4/8 | Модуль памяти DDR3 8GB 1600MHz (PC3-12800) ECC Reg CL11 DRx4, 1.35V, w/Therm Sensor |
 |
8 019
p
|
поставка |
 |
| 35234 | KVR16R11D4/16 | Модуль памяти DDR3 16GB 1600MHz (PC3-12800) ECC Reg CL11 (2R x4 w/Therm Sensor) 1.5v |
 |
12 474
p
|
поставка |
 |
| 36131 | KVR16LR11D4/16 | Модуль памяти DDR3 16GB 1600MHz (PC3-12800) ECC Reg CL11 DRx4 1.35V w/TS |
 |
11 138
p
|
поставка |
 |
|
DIMM DDR4 ECC Registered Kingston |
| 46707 | KSM26ES8/8HD | Модуль памяти DDR4 8GB 2666MHz (PC4-21300) ECC, CL19, 1.2v, Kingston |
 |
3 831
p
|
поставка |
 |
| 43642 | KSM26RS8/8HDI | Модуль памяти DDR4 8GB 2666MHz (PC4-21300) ECC Reg, CL19, 1.2v, Kingston |
 |
3 894
p
|
поставка |
 |
| 47072 | KSM29RS8/8HDR | Модуль памяти DDR4 8GB 2933MHz (PC4-23400) ECC Reg, CL21, 1.2v, Kingston Server Premier |
 |
5 595
p
|
поставка |
 |
| 48491 | KSM26RD8/16HDI | Модуль памяти DDR4 16GB 2666MHz (PC4-21300) ECC Reg, CL19, 1.2V, Kingston |
 |
120 285
p
|
3-4 дня |
 |
| 47226 | KSM32RS4/16HDR | Модуль памяти DDR4 16GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, 1.2v, Kingston |
 |
64 760
p
|
3-4 дня |
 |
| 48490 | KSM32RS4/32MFR | Модуль памяти DDR4 32GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, 2R, Kingston |
 |
93 555
p
|
3-4 дня |
 |
| 46272 | KSM26RD4/32HDI | Модуль памяти DDR4 32GB 2666MHz (PC4-21300) ECC Reg, CL19, 1R, 1.2V Kingston |
 |
14 541
p
|
поставка |
 |
| 48357 | KSM32RD4/32HDR | Модуль памяти DDR4 32GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, 2R, Kingston |
 |
14 434
p
|
поставка |
 |
| 48360 | KSM32RS4/32HCR | Модуль памяти DDR4 32GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, Kingston |
 |
8 554
p
|
поставка |
 |
| 48359 | KSM32RD4/64HCR | Модуль памяти DDR4 64GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, Kingston |
 |
120 285
p
|
3-4 дня |
 |
|
DIMM DDR4 ECC Unbuffered Kingston |
| 48538 | KSM26SED8/16HD | Модуль памяти DDR4 SoDIMM 16GB 2666MHz ECC, CL19, 2Rx8, 1.2v, Kingston |
 |
10 004
p
|
поставка |
 |
| 49120 | KSM32SES8/16MF | Модуль памяти DDR4 SoDIMM 16GB 3200MHz ECC, CL22, 1R, 1.2v, Kingston |
 |
7 800
p
|
поставка |
 |
| 48537 | KSM32SED8/32MF | Модуль памяти DDR4 SoDIMM 32GB 3200MHz ECC, CL22, Kingston |
 |
14 382
p
|
поставка |
 |
| 46601 | KSM26ED8/16HD | Модуль памяти DDR4 16GB 2666MHz (PC4-21300) ECC, CL19, 1R, 1.2v, Kingston |
 |
9 712
p
|
поставка |
 |
| 43408 | KSM26ED8/16ME | Модуль памяти DDR4 16GB 2666MHz (PC4-21300) ECC, CL19, 1R, 1.2v, Kingston |
 |
9 790
p
|
поставка |
 |
| 48540 | KSM32ED8/16MR | Модуль памяти DDR4 16GB 3200MHz (PC4-25600) ECC, CL22, 1.2v, Kingston |
 |
5 122
p
|
поставка |
 |
| 48489 | KSM32ES8/16MF | Модуль памяти DDR4 16GB 3200MHz (PC4-25600) ECC, CL22, 1.2v, Kingston |
 |
20 027
p
|
3-4 дня |
 |
| 49411 | KSM32ED8/32HC | Модуль памяти DDR4 32GB 3200MHz (PC4-25600) ECC, CL22, 2Rx8, 1.2v, Kingston |
|
53 460
p
|
3-4 дня |
 |
| 48541 | KSM26ED8/32MF | Модуль памяти DDR4 32GB 2666MHz (PC4-21300) ECC, CL19, 2R, 1.2v, Kingston |
 |
9 147
p
|
поставка |
 |
|
DIMM DDR4 ECC Registered Samsung |
| 46375 | M393A2K40DB3-CWE | Модуль памяти DDR4 16GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, 1.2V Samsung |
 |
30 168
p
|
3-4 дня |
 |
| 48225 | M393A2K43EB3-CWE | Модуль памяти DDR4 16GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, 1.2v, Samsung |
 |
74 520
p
|
3-4 дня |
 |
| 47854 | M393A4K40EB3-CWE | Модуль памяти DDR4 32GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, 1.2V Samsung |
 |
55 688
p
|
3-4 дня |
 |
| 47487 | M393A4K40EB3-CWEBY | Модуль памяти DDR4 32GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, 1.2V Samsung |
 |
66 825
p
|
склад |
 |
| 47229 | M393A4G40BB3-CWE | Модуль памяти DDR4 32GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, 1.2V Samsung |
 |
57 470
p
|
3-4 дня |
 |
| 48043 | M393A8G40AB2-CWE | Модуль памяти DDR4 64GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, 2Rx4, 1.2v Samsung |
 |
138 254
p
|
3-4 дня |
 |
| 46273 | M393A8G40MB2-CVF | Модуль памяти DDR4 64GB 2933MHz (PC4-23400) ECC Reg, CL21, 1.2v Samsung |
 |
107 811
p
|
3-4 дня |
 |
| 49578 | M393A8G40CB4-CWEC0/BY | Модуль памяти DDR4 64GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL21, 1.2v Samsung |
 |
115 474
p
|
3-4 дня |
 |
| 48791 | M393A8G40BB4-CWE | Модуль памяти DDR4 64GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, 1.2v, Dual Rank, Samsung |
 |
98 010
p
|
3-4 дня |
 |
| 47853 | M393AAG40M32-CAE | Модуль памяти DDR4 128GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg, CL22, 1.2v Samsung |
 |
174 207
p
|
склад |
 |
|
DIMM DDR4 ECC Unbuffered Samsung |
| 48529 | M391A1K43DB2-CWE | Модуль памяти DDR4 8GB 3200MHz (PC4-25600) ECC, 1.2V Samsung |
 |
4 658
p
|
поставка |
 |
| 48530 | M391A2G43BB2-CWE | Модуль памяти DDR4 16GB 3200MHz (PC4-25600) ECC, 1.2V Samsung |
 |
9 036
p
|
поставка |
 |
| 48531 | M391A4G43BB1-CWE | Модуль памяти DDR4 32GB 3200MHz (PC4-25600) ECC, 1.2V Samsung |
 |
51 233
p
|
склад |
 |
|
DIMM DDR5 ECC Registered Samsung |
| 48532 | M321R2GA3BB6-CQK | Модуль памяти DDR5 16GB 4800MHz ECC Reg, Samsung |
 |
51 999
p
|
3-4 дня |
 |
| 49583 | M321R4GA0EB2-CCP | Модуль памяти DDR5 32GB 6400MHz ECC Reg, Samsung |
 |
132 737
p
|
поставка |
 |
| 48533 | M321R4GA3BB6-CQK | Модуль памяти DDR5 32GB 4800MHz ECC Reg, Samsung |
 |
117 256
p
|
склад |
 |
| 49577 | M321R4GA3EB2-CCP | Модуль памяти DDR5 32GB 4800MHz ECC Reg, Samsung |
 |
138 105
p
|
3-4 дня |
 |
| 48534 | M321R8GA0BB0-CQK | Модуль памяти DDR5 64GB 4800MHz ECC Reg, Samsung |
 |
333 680
p
|
3-4 дня |
 |
| 48492 | MTA36ASF4G72PZ-3G2R1 | Модуль памяти DDR4 32GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg 1.2v, CL19, 2R, Crucial |
|
66 825
p
|
3-4 дня |
 |
| 46709 | MTA18ASF4G72PDZ-2G9E1 | Модуль памяти DDR4 32GB 2933MHz (PC4-23400) ECC Reg 1.2v, CL21, Micron |
 |
12 631
p
|
поставка |
 |
| 46710 | MTA36ASF8G72PZ-2G9E1 | Модуль памяти DDR4 64GB 2933MHz (PC4-23400) ECC Reg 1.2v, CL21, Micron |
 |
18 622
p
|
поставка |
 |
| 46713 | MTA36ASF8G72PZ-2G9B2 | Модуль памяти DDR4 64GB 2933MHz (PC4-23400) ECC Reg 1.2v, CL21, DRx4, Micron |
 |
37 745
p
|
поставка |
 |
| 48493 | MTA36ASF8G72PZ-3G2F1 | Модуль памяти DDR4 64GB 3200MHz (PC4-25600) ECC Reg 1.2v, CL22, Crucial |
|
102 465
p
|
3-4 дня |
 |