Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства модулей памяти DDR4 объемом 128GB. В микросхемах памяти для этих модулей используется объемная компоновка чипов с межслойными соединениями (TSV). Модули предназначены для серверов.
В каждом буферизованном модуле (Registered, или RDIMM) объемом 128GB в общей сложности используется 144 чипа DDR4, скомпонованных в 36 микросхем по 4GB каждая. Несложно посчитать, что в микросхеме упаковано четыре чипа, связанных между собой межслойными соединениями. В один из них интегрирован буфер. Модули работают на эффективной частоте до 2400MHz. В ближайших планах — выпуск модулей DDR4-2667 и DDR4-3200.
+7 495 234 2867
